Intel bijna klaar met revolutionair geheugen

Bits opgeslagen in glasmoleculen

30 oktober 2009 | Pieterjan Van Leemputten

Intel is een stukje dichter bij een technologie die computergeheugen grondig kan veranderen. Het zogenaamde phase-change memory kan ervoor zorgen dat RAM op termijn sneller, goedkoper en veel groter is, zonder in omvang toe te nemen.

De chipmaker heeft een reeks verbindingen in de geheugenchip geplaatst, waardoor het bedienen van elke 1 of 0 eenvoudiger wordt. Omdat verschillende lagen over elkaar worden geplaatst, kan er bovendien meer geheugen op een oppervlakte.

Zoals de naam phase-change memory al aangeeft, gaat het om een techniek waarbij de toestand van een stof verandert. Een glasmolecule wordt omgezet, waardoor deze een 0 of 1 vormt.

Een andere nieuwe doorbraak is een techniek waarbij één cel twee databits kan beheren. Dat wil zeggen dat die cel de combinaties 00, 01, 10 en 11 kan bevatten. Dat leidt tot een verdubbeling van de normale capaciteit.

Combinatie snelheid en laag energieverbruik
Het grote voordeel van faseveranderend geheugen is dat het de hoge snelheid van traditioneel RAM-geheugen kan combineren met de lage kosten en het lage energieverbruik van flashgeheugen. Dat kan leiden tot computers met veel en snel werkgeheugen. Hierdoor kan zowel hard- als software op termijn vereenvoudigen.

Besturingssystemen moeten momenteel belangrijke informatie in het geheugen houden, terwijl andere zaken naar het virtueel geheugen op de harde schijf worden geduwd. Maar balanceren tussen wat waar wordt bijgehouden is niet vanzelfsprekend. Dat kan veranderen wanneer werkgeheugen veel meer capaciteit krijgt.

“Bij Intel zien we dit als een mijlpaal in de toekomst van geheugen. Hier combineer je onderdelen van geheugen en opslag, waarbij de techologie mogelijk samenvloeit in één geheugentype”, zegt Al Fazio, Intels directeur voor de ontwikkeling van geheugentechnologie.

Een bijkomend voordeel van phase-change memory is dat geheugen fysiek kleiner kan worden. Ook het stroomverbruik kan verminderen, wat een betere batterijduur en minder warmteproductie met zich meebrengt.

Niet nieuw
En toch is phase-change helemaal niet nieuw. Intel-oprichter Gordon Moore, vooral bekend van de Wet van Moore, beschreef het idee al in 1970. Het wordt al toegepast op herschrijfbare cd's en dvd's.

Vandaag gaat het vooral om de ontwikkeling van RAM-geheugen. Iets waar ook IBM, Samsung en Philips mee bezig zijn. Al benadrukt Intel dat een nieuw type geheugen heel complex is om te maken. Hierdoor is een tijdskader van tien jaar volgens hen niet eens onredelijk lang.

Lees meer artikels over : intel, geheugen, ram, glas, phase-change, memory

bron: CNet